Samsungs leistungsstarke DDR5-RAM-Module mit 512 GB sind fast doppelt so leistungsfähig wie DDR4
Samsung gehört zu den Marken, die in diesem Jahr DDR5-RAM auf den Markt bringen werden - und wie es scheint, hat der Hersteller eine Branchenpremiere in Arbeit. Während der Hot Chips 33, einer jährlichen Veranstaltung zur Offenlegung von Halbleitern, enthüllte Samsung die Entwicklung seines ersten DDR5-RAM-Moduls mit 512 GB. Dieses neue Speichermodul soll eine Leistungssteigerung von bis zu 40 % gegenüber DDR4 bieten, kombiniert mit der doppelten Kapazität und einer niedrigeren Spannung.
Die Ankündigung des neuen Speichermoduls wurde von detaillierteren Informationen über seine Architektur begleitet. DDR5-7200 wird ein 512-GB-Modul sein, das aus acht gestapelten DDR5-Dies besteht. Die Dies sollen mit Hilfe der TSV-Technologie (Through-Silicon-Via) miteinander verbunden sein. Das Upgrade auf acht Dies ist von großer Bedeutung. Sie stellt eine deutliche Verbesserung gegenüber DDR4-Speicher dar, der selbst bei den besten verfügbaren Arbeitsspeichern immer auf vier Dies beschränkt war.
Obwohl Samsungs DDR5-7200 ein dichteres Design als frühere DDR4-Module aufweist, misst der neue Stapel nur 1,0 mm, was weniger ist als die 1,2 mm von DDR4. Die Größenreduzierung wurde durch Samsungs neue Thin-Wafer-Handhabungstechnik erreicht, die die Lücken zwischen den Dies um 40 % reduzierte und zu einer erheblichen Höhenreduzierung führte.
Neben dem dünneren Design wird das neue Modul auch mit einer niedrigeren Spannung arbeiten. Nach Angaben von Samsung wird DDR5-7200 mit einer Spannung von 1,1 V betrieben, was nur das 0,92-fache der Spannung von DDR4-RAM ist. DDR5 wurde durch den Einsatz hocheffizienter integrierter Stromverwaltungsschaltungen (PMIC) und eines Spannungsreglers effizienter gemacht. Außerdem wurde er mit dem High-k-Metall-Gate-Prozess kombiniert. Laut Samsung hat der Einsatz von PMIC nicht nur die Spannung gesenkt, sondern auch das Rauschen reduziert.
Die neuen Speichermodule werden auch über Same-Bank-Refresh (SBR) verfügen. Der DRAM-Bus soll bis zu 10 % effizienter sein als die aktuellen DDR4-Pendants. Samsung hat seinen neuen RAM außerdem mit einem neuen Decision Feedback Equalizer (DFE) ausgestattet, um die Stabilität des Signals zu verbessern. Schließlich wird das Modul über einen On-Die-Fehlerkorrekturcode (ODECC) verfügen, der für die Sicherheit und Zuverlässigkeit der Datenverarbeitung verantwortlich ist.
Obwohl die Aussicht auf 512 GB Arbeitsspeicher in einem PC verblüffend (wenn auch weitgehend übertrieben) ist, werden die neuen Module von Samsung nicht für normale Desktops produziert. DDR5-7200 zielt auf den Server- und Rechenzentrumsmarkt ab, aber auch DDR5-Speicher für den Verbrauchermarkt ist in Sicht.
Es ist davon auszugehen, dass die maximale Speicherkapazität für Verbraucher bei 64 GB liegen wird. Tatsache ist jedoch, dass die kommenden Hauptplatinen und Prozessoren von Intel und AMD es normalen Nutzern ermöglichen werden, bisher ungekannte Mengen an Arbeitsspeicher zu nutzen. Wenn sich alle Vorhersagen bewahrheiten, werden Mainstream-Benutzer in der Lage sein, einen PC mit 256 GB RAM zu bauen oder zu kaufen, sobald DDR5-Speicher verfügbar ist.
Samsung geht davon aus, dass der Mainstream-Markt nicht vor 2023 oder sogar 2024 auf DDR5-RAM umgestellt wird. Der Hersteller plant jedoch, bis Ende dieses Jahres mit der Massenproduktion von DDR5-7200 512GB RAM zu beginnen. Einige Hersteller, wie z. B. Corsair, werden ihre DDR5-Varianten früher auf den Markt bringen. Die Marke möchte DDR5-Speicher zusammen mit Intels neuer Prozessorgeneration Alder Lake auf den Markt bringen, die voraussichtlich im Herbst auf den Markt kommen wird.